EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-NYCMD CWDM мікрахвалевы лазерны модуль DFB
- Лазер прамой мадуляцыі DFB
- Высокі дынамічны дыяпазон
- Даўжыня хвалі: CWCM
- Прапускная здольнасць 18 ГГц
- Нізкі парогавы ток
- Высокая выходная магутнасць
- 7-кантактны матылёк з раздымам SMA
- Працоўная тэмпература корпуса: ад -40 да 70 ℃
- Палепшаная надзейнасць
Апісанне Прадукта
Лазер LK-NYCMD - гэта высокапрадукцыйны лазер з непасрэдна мадуляванай размеркаванай зваротнай сувяззю (DFB), прызначаны для дасягнення поспехаў у лінейнай валаконна-аптычнай сувязі для прыкладанняў, якія патрабуюць надзвычай шырокай паласы прапускання. Гэтая серыя служыць лепшай заменай сістэмам кааксіяльнага кабеля для перадачы высокачашчынных сігналаў на 12 ГГц або 18 ГГц.
Захоўваючы цэласнасць радыёчастотнага сігналу ў яго зыходнай форме, серыя LK-NYCMD павышае надзейнасць мікрахвалевых сетак сувязі. Дзякуючы гэтым характарыстыкам, серыя прыкметна паляпшае якасць сігналу ў шэрагу прыкладанняў, такіх як дыстанцыйнае кіраванне антэнай, тэлеметрыя, размеркаванне сінхранізацыі і апорных сігналаў, а таксама сістэмы вымярэнняў і ліній затрымкі.
LK-NYCMD уключае ў сябе аптычны ізалятар, тэрмаэлектрычны ахаладжальнік (TEC), тэрмістар, мікрасхему лазернага дыёда і фотадыёд манітора, усе з якіх запячатаны ў надзейным 7-кантактным корпусе тыпу «матылёк» для забеспячэння герметычнай абароны і падтрымання аптымальнай прадукцыйнасці.
Тэхнічныя характарыстыкі
| Абсалютны максімальны рэйтынг | ||||
|---|---|---|---|---|
| Параметр | сімвал | мінімум | Максімум | блок |
| Прамы ток лазернага дыёда | If | - | 120 | mA |
| Лазерны дыёд зваротнага напружання | V | - | 1 | V |
| Пярэдняя сіла | Pf | - | 20 | дБм |
| Зваротнае напружанне PD | V | - | 15 | V |
| Прамы ток (PD) | Im | - | 2 | mA |
| Працоўная тэмпература | To | 40- | +70 | ° C |
| тэмпература захоўвання | Ts | 55- | +85 | ° C |
| Адносная вільготнасць пры захоўванні | Sr | - | 85 | % |
| Аптычныя і электрычныя характарыстыкі (Tc=25°C) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Параметр | сімвал | Стан тэсту | Мін | Тып | макс | адзінкі | Нататка |
| Даўжыня хвалі | λ | IF = IOP, Т = ТOP | 1270 | CW | 1390 | nm | варыянт |
| Fréquence | - | Варыянт X | 0.3 | - | 12 | Ггц | - |
| Ку варыянт | 0.8 | - | 18 | ||||
| Аптычная выходная магутнасць | P | IF=Iop | - | 10 | - | mW | 1 |
| Парогавы ток | Ith | λ: CWDM | - | 10 | - | mA | - |
| Аперацыйны ток | Iop | λ: CWDM | - | 55 | 100 | mA | - |
| Працоўнае напружанне | Vop | λ: CWDM | - | 1.5 | 2.5 | V | - |
| Эфектыўнасць склонаў | SE | - | 0.2 | - | - | Ж/А | - |
| Каэфіцыент падаўлення бакавога рэжыму | СМСР | λ: CWDM, ЯF=Iop | 30 | - | - | dB | - |
| Адносная інтэнсіўнасць шуму | RIN | - | - | 130- | дб / Гц | - | |
| Прапускная здольнасць (-3 дБ, I=60 мА) | S21 | Варыянт X | - | 12 | - | Ггц | - |
| Ку варыянт | - | 18 | - | ||||
| Зваротныя страты | КСВ | Варыянт X | - | - | 2 | dB | - |
| Ку варыянт | - | - | 2.2 | ||||
| Уваходная кампрэсія 1 дБ | 15 | - | - | дБм | - | ||
| Супраціў тэрмістара | Rth | @25C | - | 10 | - | Ком | - |
| ТЭЦ ток | It | - | - | - | 1.2 | A | 2 |
| напружанне ТЭС | Vt | - | - | 2.5 | V | 2 | |
| Ёмістасць (PD) | Ct | - | - | 20 | pF | - | |
| Маніторынг току | Im | - | 0.10 | - | 2.0 | mA | - |
| Цёмная плынь (PD) | Id | - | - | 50 | nA | - | |
Заўвагі:Усе лазерныя чыпы паходзяць з пласцін, якія былі сертыфікаваны з выкарыстаннем прадстаўнічай партыі прылад, якія павінны дасягаць прымальнага выхаду для выгарання.
1. Тэмпература лазера ўстаноўлена на 25 ℃, ток зрушэння на 55 мА
2. Працоўная тэмпература корпуса -40~70℃
● Тыповыя дадзеныя
(λ: CWDM, TC =25 ℃)
（ Мал. 1 X- даныя дыяпазону S11 і S22 ）
（ Мал. 2 Даныя Ku-дыяпазону S11 і S22 ）
● Электрычная схема
| Лід # | функцыя |
| 1 | Тэрмістар |
| 2 | Тэрмістар |
| 3 | LD-(Зрушэнне) |
| 4 | PD+ |
| 5 | PD- |
| 6 | Кулер+ |
| 7 | Кулер- |
| 8 | ЛД-(РФ) |
| 9 | Зямля |
● Контурныя малюнкі (Адзінка вымярэння: мм)
ВЧ раз'ём: SMA
● Інфармацыя для замовы
Аркуш 1:
| код | Тыповая даўжыня хвалі |
| CM | Мультыплексар CWDM з грубым дзяленнем па даўжыні хвалі 7PIN пакет у форме матылька |
Аркуш 2:
| код | Аналагавая прапускная здольнасць |
| X | 0.1 ~ 12 ГГц |
| Ku | 1～ 18 Ггц |
Аркуш 3:
| код | W1 | W2 | W3 | W4 | W5 | W6 | W7 |
| Даўжыня хвалі (нм) | 1270 | 1290 | 1310 | 1330 | 1350 | 1370 | 1390 |
Аркуш 4:
| код | Тып раздыма | Заўвагу |
| A | FC / APC | Аднамодавы валаконны касічка 9/125 мкм, 0.9 мм, даўжыня 1 м |
| S | SC / APC | |
| N | Няма раздыма |
● Меры засцярогі
Радыус выгібу валакна не менш за 20 мм, каб пазбегнуць пашкоджання валакна.
Перш чым падключаць яго да оптасхемы, упэўніцеся, што грань валаконнай сувязі чыстая.
Пры захоўванні, транспарціроўцы і выкарыстанні патрабуецца адпаведная абарона ад электрастатычнага разраду.
прыкладанняў
Высакахуткасная перадача дадзеных
Аддаленая антэна
Сеткі сотавай сувязі і PCS
Аналагавая радыёчастотная перадача
Ваенная сувязь
Адсочванне, тэлеметрыя і кантроль
Сістэмы тэлеметрыі
Ваенныя і абарончыя сістэмы
дэталь
● Тыповыя дадзеныя
(λ: CWDM, TC =25 ℃)
（ Мал. 1 X- даныя дыяпазону S11 і S22 ）
（ Мал. 2 Даныя Ku-дыяпазону S11 і S22 ）
● Электрычная схема
| Лід # | функцыя |
| 1 | Тэрмістар |
| 2 | Тэрмістар |
| 3 | LD-(Зрушэнне) |
| 4 | PD+ |
| 5 | PD- |
| 6 | Кулер+ |
| 7 | Кулер- |
| 8 | ЛД-(РФ) |
| 9 | Зямля |
● Контурныя малюнкі (Адзінка вымярэння: мм)
ВЧ раз'ём: SMA
● Інфармацыя для замовы
Аркуш 1:
| код | Тыповая даўжыня хвалі |
| CM | Мультыплексар CWDM з грубым дзяленнем па даўжыні хвалі 7PIN пакет у форме матылька |
Аркуш 2:
| код | Аналагавая прапускная здольнасць |
| X | 0.1 ~ 12 ГГц |
| Ku | 1～ 18 Ггц |
Аркуш 3:
| код | W1 | W2 | W3 | W4 | W5 | W6 | W7 |
| Даўжыня хвалі (нм) | 1270 | 1290 | 1310 | 1330 | 1350 | 1370 | 1390 |
Аркуш 4:
| код | Тып раздыма | Заўвагу |
| A | FC / APC | Аднамодавы валаконны касічка 9/125 мкм, 0.9 мм, даўжыня 1 м |
| S | SC / APC | |
| N | Няма раздыма |
●Меры засцярогі
Радыус выгібу валакна не менш за 20 мм, каб пазбегнуць пашкоджання валакна.
Перш чым падключаць яго да оптасхемы, упэўніцеся, што грань валаконнай сувязі чыстая.
Пры захоўванні, транспарціроўцы і выкарыстанні патрабуецца адпаведная абарона ад электрастатычнага разраду.
